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DRAM并不是小型化背后的驱动力在半导体制造技术的发展中，试点DRAM在2000年之前一直是小型化的推动力。学法新出NAND闪存（当时的平面存储器）积极推动了制造技术的小型化。

字线解码器选择单元晶体管的栅极（字线），余人益地位线解码器选择源极（位线），以及放大用于读取和读取的信号的读出放大器（S/A）。次受DRAM最大存储容量（每个硅芯片）的变化（1990-2014年）。号线微细加工的主导地位将被NAND闪存取代

通过引入时钟同步式设计来实现高速化、入口不同用途的产品开发，入口以及考虑不同领域的安装形态（封装和模块）的标准规格的制定等是2000年代以后的DRAM开发策略。亮相这就是GDDR（图形DDR）SGRAM（同步图形RAM）。

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尽管主流用户已经从大型机（1970年代）到工作站（1980年代）再到个人电脑（PC）（1990年代），试点但情况依然如故：试点他们期望DRAM制造商在三年内将开发速度翻两番。2月11日，学法新出唐嫣受柏林国际电影节受邀请参加第66届柏林国际电影节。

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